 |
|
|
|
4 - MEMORIA
Accesso sprint alla memoria di lavoro del pc (Prima Parte)
Riducendo il tempo di attesatra i segnali RAS (Row Address Strobe) e CAS (Column Address Strobe) è possiblie accelerare qualisasi tipo di memoria del pc. Il processore, o meglio il Memory-Controller del chipset, deve comunicare alla memoria di lavoro quale cella di memoria vuole leggere o scrivere. L'indirizzo è poi passato alla memoria in due sezioni: un volta la riga (Row), e una volta la colonna (Column). Il chip di memoria compone internamente l'indirizzo desiderato e il procesore può poi accedere alla cella di memoria corrispondente.
Perchè questa procedura complessa?
Così facendo i chip di memoria hanno bisogno solo la metà delle linee di indirzzamento e possono usare un contenitore molto più piccolo. Perchè il chip sappia se la CPU trasmette un indirizzo di riga o di colonna, la CPU attiva il segnale RAS per una riga e CAS per una colonna, drapponendo un ciclo di attesa in modo che il chip includa l'indirizzo in modo corretto. E' proprio questo tempo di attesa che si riduce intervendo sul BIOS. Così facendo, si aumenta la velocità della memoria e, con essa, quella di lavoro del pc.
Se la memoria non va d'accordo con il nuovo paramentro, dopo l'intervento il funzionamento del pc sarà instabile. Se vengono segnalate violazioni di protezione in Windows oppure il pc si blocca senza motivo, meglio ripristinare il vecchio valore nel BIOS.
| RITARDO RAS to CAS: Le Impostazioni
|
|
| |
AMI
|
AWARD
|
 |
|
|
| Parametri BIOS |
Ras tu Cas delay Time
|
SDRAM Ras tu Cas Delay
|
|
|
|
| Si trovano in |
Advanced Chipset Setup
|
Chipset Features Setup
|
|
|
|
| Opzioni |
2T/3T
|
2/3
|
|
|
|
| Il nostro consiglio |
2T
|
2
|
| Vantaggi: fino al cinque percento in più di velocità |
|
5 - MEMORIA
Accesso sprint alla memoria di lavoro del pc (Parte Seconda)
Se il vostro pc è provvisto di moduli SDRAM, nell'opzione SDRAM CAS LATENCY è possibile accelerare l'accesso di lettura alla memoria principale riducnedo questo tempo; il tempo relativo alla scrittura non ha invece imprtanza. I chip della memoria sono organizzati in una metrice bidimensionale. Per indirizzare una cella, si utilizzano (tra l'altro) i segnali RAS e CAS (punto precendente). Come tutti i sengli binari, RAS e CAS possono assumere solo i due stati "alto" e "basso", corrispondenti al livello di tensione fisicamente presente. "Alto" corrispondeo allo stato logico "inattivo" mentre "basso"singifica "attivo". Con un chip SDRAM il processo di lettura vero e proprio inizia solo quando un segnale CAS è diventato "attivo"; solo allora il chip riconosce l'indirizzo della cella di memoria richiesta (l'indirizzo della colonna viene letto quando il sengale CAS passa da "alto" a "basso", ma l'indirizzo della riga viene già letto quando il senglae RAS diventa "basso"). A questo punto l'elettronica del chip di memoria legge i dati, li amplifica (punto successivo) e li invia all'uscita del modulo. Tutto ciò non avviene alla massima velocità, perchè la complessa elettronica di amplificazione richiede tempo prima che il sengale giunga stabile all'uscita dal chio. Il tempo che trascorre è denominato tempo di latenza SDRAM - CAS e viene indircato in numero di cicli di clock della memoria. Di solito si parla di due o tre cicli. Impostare due cicli. Con questo intervento su uno dei pc testati è stata aumentata del quattro per cento la velocità di lettura della memoria principale.
| SDRAM CAS LATENCY: Le Impostazioni
|
|
| |
AMI
|
AWARD
|
|
|
|
| Parametri BIOS |
SDRAM CAS #Latency
|
SDRAM CAS Latency
|
|
|
|
| Si trovano in |
Advanced Chipset Setup
|
Chipset Features Setup
|
|
|
|
| Opzioni |
2T/3T
|
2/3
|
|
|
|
| Il nostro consiglio |
2T
|
2
|
| Vantaggi: l'accesso di lettura sulla memoria principale aumenta le prestazioni fino al quattro per cento |
|
6 - MEMORIA
Accesso sprint alla memoria di lavoro del pc (Terza Parte)
Con ongi tipo di memoria DRAM (FPM, EDO e SD) questa opzione consenti di stabilire quanto vempo viene inserito tra le singole operazioni di accesso alla memoria. Minore è questo tempo, maggiore sarà la velocità. Le celle di memeoria DRAM sono composte da piccolissimi condensatori che memorizzano le minima quantità di carica elettrica: un bit per cella. Durante la lettura di una cella intervengono degli amplificatori che rendono comprensibili i sengali deboli e particolarmente sensibili ai disturbi. Ma questi amplificatori non funzionano senza ridurre la già bassa carica disponibile. Il bit letto resta quindi sull'amplificatore, ma la cella è eliminata. Per evitare perdite di dati la procedura di lettura deve essere seguita da un'operazione automatica interna di scrittura. Questo ciclo viene coordinato con segnale RAS. Dopo che l'amplificatore ha letto la cella, il sengale RAS passa dalla stato "attivo" a quello"inattivo" e mantiene tale stato fino a quando il contenuto delle cella viene riscirtto. La durata dell'inattività viene chiamata tempo RAS Precharge che, con i moduli SDRAM, di solito corrisponde a due o a tre cicli: impostate due cicli. Sui pc usati per i test è stato ottenuto un aumento di velocità dell'undici per cento.
| RAS precharge: Le Impostazioni
|
|
| |
AMI
|
AWARD
|
|
|
|
| Parametri BIOS |
SDRAM RAS #Precharge
|
SDRAM RAS Precharge
|
|
|
|
| Si trovano in |
Advanced Chipset Setup
|
Chipset Features Setup
|
|
|
|
| Opzioni |
2T/3T
|
2/3
|
|
|
|
| Il nostro consiglio |
2T
|
2
|
| Vantaggi: la velocità degli accessi di lettura alla RAM aumenta dell'undici percento |
|
|
| |
|
|
|
|
|
